半导体立器件测试仪C2935
一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试高、电参数测试、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定，具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控，测试可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。系统软件功能、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指均可达到器件手册技术指及国要求。
二、测试参数
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCEAT、VBEAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGEF、IGF、 IGR、IG、VDON、RDON、VGTH、ID、IDON 、gF、 BVDGO、BVG
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCEAT
*7．三端稳压器
VO、V、ID、IDV
被测器件图形
三、测试参数范
晶体管
测试参数
测试范
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1－99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0. 10V-50V
50V-1499V
二极管
测试参数
测试范
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
稳压二极管
测试参数
测试范
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端稳压器
测试参数
测试范
VO
0.10V-30V
V
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA
MOFET
测试参数
测试范
VG(th)
0.10V-30V
gfs
0.1m-1000
RD(on)
10mΩ-100KΩ
VD(on)
0.10V-50V
IG
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)G
0.1V-30V
V(BR)D
0.1V-1499V
光耦
测试参数
测试范
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
与IR参数相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V
可控硅
测试参数
测试范
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA-1A
IL
10uA-1A
VTM
0.10V-50V
四、技术指
1、源的指
主极压流源 (VA)
电压：
设定范（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)
电流：
测量范
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脉冲）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脉冲）
±(244mA+0.5%set)
压流源 (VB)
电压：
设定范（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)
电流：
测量范
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脉冲）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脉冲）
±(244mA+0.5%set)
高压源（HV）
设定范（V）
度
0~1500
±(1.22V+1%set)
*1500V时大输出为5mA。
2、电压表的指
测漏电流
测量范
度
±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)
测试电压
设定范（V）
度
±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)
测击穿电压
设定范（V）
度
（0~50）V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
（50~1500）V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)
放大倍数
设定范（V）
度
1~9999
1%
