技术参数
（1）测量范：
可测硅晶体电阻率：0.005-10000Ω·cm
可测硅棒尺寸：大长度300mm；直径20mm（均可按用户要求改）
（2）恒流源：
输出电流：DC0.001-100mA 五档连续可调
量程：0.001-0.01mA（1-10μA）、0.01-0.1mA（10-100μA）、0.1-1.0mA 、1.0-10mA、10-100mA
恒流：各档均优于±0.05%
（3）直流数字电压表：
测量范：0-199.99mV
灵敏度：10μV
基本误差：±（0.004%读数±0.01%满度）
输入阻抗：≥1000MΩ
（4）电阻测量误差：≤0.3%
（5）两探针头：KDT-9
探针间距：1.59±0.01mm 探针直径Φ0.8mm
游移率：＜0.2% 探针材料：硬质合金（WC）
探针压力：3±1N/单针
（6）供电电源：
AC 220V ±10% 50/60Hz. 功率：12W
不能与未加稳压滤波的大功率、高频设备共用电源
（7）使用环境：
温度：23±2℃ 相对温度：≤65%
无较强的电场干扰，无强光直接照射
（8）重量、体积：
主机重量：7.5Kg
体积：390×340×190（单位：mm 长度×宽度×高度）
